ICP-MS檢測半導體級樣品注意事項

ICP-MS可適用于ppt級的元素和亞ppt級的元素分析，因此常用于半導體行業，分析超痕量的雜質。如下介紹主要的影響因素。

儀器運行環境

半導體設備中出現污染，會使產品性能惡化。堿金屬、堿土金屬造成的污染降低擊穿電壓，過渡金屬造成的污染縮短載流子壽命，增加暗電流。因此必須控制污染。但是，這些污染存在于大氣中各個角落，所以通過ICP-MS檢測的樣品必須特別注意不要受這些污染影響。最好的方法是在潔凈室進行檢測。

ICP-MS在潔凈室內使用，其前級真空泵最好放置在潔凈室外部，只將儀器主機放置在潔凈室。用于冷卻儀器的空氣從外流到內，并從上部的排風管排出，使灰塵粒子被控制在最小值。潔凈室的潔凈度常用空氣只微粒子來表示。1000級表示直徑＞0.5μm的粒子≤1000個/立方英尺。一般大氣中為100萬級。為保證10～1級的潔凈度，潔凈室內部的空氣流通盡量采用高架回風，是室內的空氣可以向下流通。配置樣品和標準溶液時需在100級以下的通風櫥內進行，一般此類通風櫥會在頂部再增加一級過濾FFU，以此來保證作業過程中的潔凈度。

樣品引入系統/接口

為避免污染，上海精宏提醒您，必須特別注意樣品引入系統的選擇和清潔。用于檢測半導體樣品的樣品引入系統、接口于其他樣品檢測不同，相關配置如下。

霧化器，蠕動泵管有時會造成極微量污染，進行超微量檢測是適用于自吸進樣。自吸進樣時，霧化器使用同心霧化器、交叉霧化器或微流霧化器。

接口，一般ICP-MS7700S有兩種接口（Ni、Pt），都可以用于半導體樣品檢測。使用Ni錐接口時，Ni的背景檢出限為50ppt左右。而Pt錐接口可以對很多酸有耐受性，適合超純酸的檢測。

某些元素具有記憶效應，這些元素的氧化物易留在接口上，如Ca、Al、Si、U、Th和稀土元素等。這些記憶效應可以通過在2%的硝酸中浸泡去除。但是，有時需要沾有氧化鋁懸濁液的棉簽進行擦拭去除。

樣品引入系統/接口的清洗

如果長時間在空氣中放置可能會有污染，所以使用前用超純水充分清洗。另外，清洗時必須戴手套。